Dual Enhancement Mode MOSFET HCT802, HCT802TX, HCT802TXV Features:  6 pad surface mount package  V = 90V DS  R (on) < 5Ω DS  ID(on) N-Channel = 1.5A | P-Channel = 1.1A  Two devices selected for V I and R similarity DS D(on) DS(on)  Full TX Processing Available  Gold plated contacts Description: HCT802 offers an N‐Channel and P‐Channel MOS transistor in a herme�c ceramic surface mount package. The devices used  are similar to industry standards 2N6661 N‐Channel device and VP1008 P‐Channel device.  These two enhancement mode  MOSFETS are par�cularly well matched for V , I , R  and G . DS DS(on) DS(on) fs   TX and TXV devices are processed to OPTEK’s military screening program pa� erned a� er MIL‐PRF‐19500.  TX products receive a V  HTRB at 24 V for 48 hrs. at 150° C and a V  HTRB at 48 V for 260 hrs.at 150° C.  GS DS     V   I  (mA)  G (ms)  t  / t  (ns)  DSS D(ON) fs (ON) (OFF) Part  Sensor Type  Package  Applications: Min  Min  Min  Max  Number   Drivers: Solid State HCT801  Relays, Lamps, N & P ‐Channel  Solenoids, Displays, Enhancement   90  1.5 & ‐1.1  170 & 200  15/17 & 50/50  6‐pin Ceramic  HCT801TX  Memories, etc. MOSFET  HCT801TXV   Motor Control  Power Supply Circuits General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue A 11/2016 Page 1 © TT electronics plc Dual Enhancement Mode MOSFET HCT802, HCT802TX, HCT802TXV Absolute Maximum Ra�ngs   Drain Source Voltage  90V  Gate‐Source Voltage  ±20 V  Drain Current (Limited by Tj max) N‐Channel  2A                                                               P‐Channel  1.1A  Opera�ng and Storage Temperature  -55° C to +150° C Power Dissipa�on  TA = 25°C (Both devices equally driven)  0.5 W Total  (1) TA = 25°C (Both devices equally driven)  1.5 W Total    (TS = Substrate that the package is soldered to)    Electrical Characteris�cs (T = 25° C unless otherwise noted)  A DEVICE  SYMBOL  PARAMETER  MIN  MAX  UNITS  TEST CONDITIONS  B=BOTH  (2) (2) B   Drain‐Source Breakdown  B  90     V  I = 10 µA , V  = 0  VDSS D GS N  0.75  2.5  V  V  = V , I = 1 mA  GS DS D V   Gate Threshold Voltage   TH  P ‐2.0 ‐4.5  V  I = ‐1 mA  D I   Gate‐Body Leakage  B   ±100  nA  V  = ± 20 V, V  = 0  GSS GS DS (2) (2) B   µA  10   V  = 90 V , V  = 0 V  DS GS I   Zero Gate Voltage Drain Current   DSS  (2) B   500   µA  Tj = 150° C  N  1.5   A  V  = 25 V, V  = 10 V  DS GS I   On‐State Drain Current   D(on)  P ‐1.1   A  V  = ‐15 V, V  = ‐10 V  DS GS (2) (2) R   Drain‐Source on Resistance  B   5 Ω  V  = 10 V , I = 1 A   DS(on) GS D G  Forward Transconductance  N  170   mmho  V  = 25V, I = 0.5 A  fs DS D    P  200   Mmho  V  = ‐10 V, I = ‐0.5 A  DS D C   Input Capacitance  N   70  pf  V  = 25 V, V  = 0 V, f = 1 MHz  ISS DS GS    P   150  pf  V  = ‐25 V, V  = 0 V, f = 1 MHz  DS GS C   Common Source Output Capacitance  N   40  pf  V  = 25 V, V  = 0 V, f = 1 MHz  OSS DS GS    P   60  pf  V  = ‐25 V, V  = 0 V, f = 1 MHz  DS GS C   Reverse Transfer Capacitance  N   10  pf  V  = 25 V, V  = 0 A, f = 1 MHz  RSS DS GS    P   25  pf  V  = ‐25 V, V  = 0 A, f = 1 MHz  DS GS Note:   1)  This ra�ng is provided as an aid to designers.  It is dependent upon moun�ng material and methods and is not measurable as an outgoing test.  2)  Reverse polarity for P‐Channel device  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue A 11/2016 Page 2 © TT electronics plc Dual Enhancement Mode MOSFET HCT802, HCT802TX, HCT802TXV Electrical Characteris�cs (T = 25° C unless otherwise noted)  A DEVICE  SYMBOL  PARAMETER  MIN  MAX  UNITS  TEST CONDITIONS  B=BOTH  t   Turn‐on‐�me  N   15  ns  V  = 25 v, I = 1 A, R = 50 Ω  (on) DD D L     P   50  ns  V  = ‐25 v, I = ‐0.5 A, R = 50 Ω  DD D L t   N   17  ns  V  = 25 v, I = 1 A, R = 50 Ω  Turn‐off‐�me  (off) DD D L     P   50  ns  V  = ‐25 v, I = ‐0.5 A, R = 50 Ω  DD D L General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue A 11/2016 Page 3 © TT electronics plc