High Resolution Slotted Optical Switch OPB821TX, OPB821TXV Features:  Non-contact switching  Low profile to facilitate stacking  Hermetically sealed components  24” (609.60 mm) minimum length wire conforms to MIL-W-16878  TX and TXV components processed to MIL-PRF-19500 Description: Each OPB821TX and OP821TXV device consists of a gallium aluminum arsenide LED and a silicon phototransistor, which are  soldered into a printed circuit board and mounted in a high temperature plas�c housing on opposite sides of an  0.080” (2.03 mm) wide slot.  Lead wires are #24 AWG polytetraţouroethylene (PTFE) insulated, which conforms to MIL‐W‐ 16878.    Phototransistor switching takes place when an opaque object passes through the slot.  For maximum output signal, neither  the LED nor the phototransistor is apertured.    TX and TXV device components are processed to OPTEK’s military screening program pa� erned a� er MIL‐PRF‐19500.   Please refer to Applica� on Bulle� ns 208 and 210 for addi� onal design informa� on and reliability (degrada� on) data.   Contact your local representa�ve or OPTEK for more informa�on.      LED    Slot  I I (mA)  Aperture   Lead  C(ON)  F V  (Volts)  CE Applications: Part  Peak     Width /  (mA)  Typ /   Emi�er/ Length /  Max  Number  Wavelength   Sensor  Depth  Min   Max  Sensor  Spacing  Non‐contact object sensing  OPB821TX  0.080" /  0.040"/  24"/26  Assembly line automa�on  880 nm  Transistor  0.80  20 / 50  30   0.255”   0.040"   AWG wire  OPB821TXV  Machine automa�on  Equipment safety  Machine safety  4 2 1 3 Color/Pin #  Descrip�on  Color/Pin #  Descrip�on  Green‐3  Cathode  White‐2  Collector  [MILLIMETERS]  Orange‐4  Anode  Blue‐1  Emi�er  DIMENSIONS ARE IN:  RoHS INCHES  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue B 08/2016 Page 1 © TT electronics plc High Resolution Slotted Optical Switch OPB821TX, OPB821TXV Absolute Maximum Ra�ngs (T = 25° C unless otherwise noted)   A  Storage Temperature  ‐65°C to +150° C  Opera�ng Temperature  ‐65°C to +125° C  (1) Lead Soldering Temperature (1/16 inch [1.6 mm] from case for 5 seconds with soldering iron)   260° C  Input Diode    Con�nuous Forward Current     50 mA  Reverse Voltage     2 V  (1) Power Dissipa�on   100 mW  Output Phototransistor  Collector‐Emi�er Voltage   50 V  Emi�er‐Collector Voltage  7 V  (1) Power Dissipa�on   100 mW  Electrical Characteris�cs (T = 25° C unless otherwise noted)  A SYMBOL  PARAMETER  MIN  TYP  MAX  UNITS  TEST CONDITIONS  Input Diode  1.00  1.35  1.70  I = 20 mA  F (3)  V  Forward Voltage   1.20  1.55  1.90  V   I = 20 mA, T = ‐55° C  F A F  0.80  1.20  1.60  I = 20 mA, T = 100° C  F A I  Reverse Current ‐  0.10  100  µA  V = 2 V  R R Output Phototransistor  V   Collector‐Emi�er Breakdown Voltage  50  110 ‐  V  I = 1 mA, I = 0  (BR)CEO C F V   Emi�er‐Collector Breakdown Voltage  7  10 ‐  V  I = 100 µA, I = 0  (BR)ECO E F ‐  0.20  100  nA  V  = 10 V, I = 0  CE F I   Collector‐Emi�er Dark Current   C(OFF)  ‐  10  100  µA  V  = 10 V, I = 0, T = 100° C  CE F A Coupled   800 ‐  ‐  V  = 10 V, I = 20 mA  CE F (3)   I   On‐State  Collector Current   500 ‐  ‐  µA   V  = 10 V, I = 20 mA, T = ‐55° C  C(ON)  CE F A 500 ‐  ‐  V  = 10 V, I = 20 mA, T = 100° C  CE F A Collector‐Emi�er Satura�on Voltage V   ‐  0.20  0.30  V  I = 250 µA, I = 20 mA  CE(SAT) C F   OPB820S10, OPB821S10  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue B 08/2016 Page 2 © TT electronics plc High Resolution Slotted Optical Switch OPB821TX, OPB821TXV Electrical Characteris�cs (T = 25° C unless otherwise noted)  A SYMBOL  PARAMETER  MIN  TYP  MAX  UNITS  TEST CONDITIONS  Coupled   t  Output Rise Time ‐  12  20  r µs   V  = 10 V, I = 20 mA, R = 1000 Ω   CC F L t  Output Fall Time ‐  12  20  f Notes:  (1)  Derate linearly 1.00 mW/° C above 25° C.  (2)  Methanol or isopropanol are recommended cleaning agents.  (3)  Measurement is taken during the last 500 µs of a single 1.0 ms test pulse.  Hea�ng due to increased pulse rate or pulse width can cause  Flag Next to Emi�er  OPFlag B820  Next - Flag  nex to Sensor t to Sens or 1.20 1.20 Top to Bottom Top to Bottom 1.00 1.00 0.80 0.80 Left to Right Right to Left 0.60 0.60 Left to Right Right to Left 0.40 0.40 0.20 0.20 0.00 0.00 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 Displacement Distance (inches) Displacement Distance (inches) Flag in Middle of Slot  1.20 Top to Top to Bottom 1.00 0 0.80 Left to Right Right to Left 0.60 Emitter Left to Right Right to Left 0.40 Sensor 0.20 0 Width 0.00 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 Displacement Distance (inches) General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue B 08/2016 Page 3 © TT electronics plc Normalized I Response Normalized I Response C(ON) C(ON) Normalized I Response C(ON)