High Resolution Slotted Optical Switch OPB847TX, OPB847TXV, OPB848TX, OPB848TXV Features:  Non-contact switching  Apertured for high resolution  Hermetically sealed components  TX and TXV devices processed to MIL-PRF-19500 Description: The OPB847TX, OPB847TXV, OPB848TX and OPB848TXV each consist of a gallium aluminum arsenide LED and a silicon  phototransistor, which is soldered into a printed PCBoard and then mounted in a high‐temperature plas�c housing on  opposite sides of a 0.10 inch (2.54 mm) wide slot.  Both device types have a 0.025 inch by 0.060 inch (0.635 mm by 1.524  mm) aperture in front of the phototransistor for high resolu�on posi�oning sensing.  Phototransistor switching takes place  when an opaque object passes through the slot.    TX and TXV device components are processed to OPTEK’s military screening program pa� erned a� er MIL‐PRF‐19500.   Please refer to Applica� on Bulle� ns 208 and 210 for addi� onal design informa� on and reliability (degrada� on) data.   Contact your local representa�ve or OPTEK for more informa�on.     LED Peak    Slot Width /  Aperture   Lead Length /     Applications: Part Number  Wavelength   Sensor  Depth  Emi�er/Sensor  Spacing  Non‐contact object sensing  OPB847TX  Assembly line automa�on  890 nm     Transistor   0.100"    / 0.250”   0.025" / 0.025"     0.425" / 0.300"     OPB847TXV  Machine automa�on  OPB848TX  Equipment safety  890 nm     Transistor   0.100"    / 0.250”   0.025" / 0.025"     0.425" / 0.300"     OPB848TXV  Machine safety  1 4 2 3 Pin #  Descrip�on  1  Anode  2  Cathode  3  Emi�er  4  Collector  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue B 08/2016 Page 1 © TT electronics plc High Resolution Slotted Optical Switch OPB847TX, OPB847TXV, OPB848TX, OPB848TXV Absolute Maximum Ra�ngs (T = 25° C unless otherwise noted)   A  Opera�ng Temperature Range  ‐65° C to +125° C  Storage Temperature Range  ‐65° C to +150° C  Lead Soldering Temperature [1/16 inch (1.6 mm) from the case for 5 seconds with soldering iron]  260° C  Input Diode  Forward DC Current  50 mA  Reverse Voltage  2 V  (2) Power Dissipa�on   100 mW  Output Phototransistor  Collector‐Emi�er Voltage  50 V  Emi�er‐Collector Voltage  7 V  (2) Power Dissipa�on   100 mW  Electrical Characteris�cs (T = 25° C unless otherwise noted)  A SYMBOL  PARAMETER  MIN  TYP  MAX  UNITS  TEST CONDITIONS  Input Diode  1.00  1.35  1.70  I = 20 mA  F (4)   V  Forward Voltage 1.20  1.55  1.90  V   I = 20 mA, T = ‐55° C  F  F A 0.80  1.20  1.60  I = 20 mA, T = 100° C  F A I  Reverse Current ‐  0.10  100  µA  V = 2 V  R R Output Phototransistor  V   Collector‐Emi�er Breakdown Voltage  50  110 ‐  V  I = 1 mA, I = 0  (BR)CEO C F V   Emi�er‐Collector Breakdown Voltage  7  10 ‐  V  I = 100 µA, I = 0  (BR)ECO E F ‐  0.20  100  nA  V  = 10 V, I = 0  CE F I   Collector‐Emi�er Dark Current  C(OFF) ‐  10  100  µA  V  = 10 V, I = 0, T = 100° C  CE F A Notes:  (1)  Dura�on can be extended to 10 seconds maximum when ţow soldering.  (2)  Derate linearly 1.00 mW/° C above 25° C.  (3)  Methanol and isopropanol are recommended as cleaning agents.  (4)  Measurement is taken during the last 500 µs of a single 1.0 ms test pulse.  Hea�ng due to increased pulse rate or pulse width can cause  change in measurement results.  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue B 08/2016 Page 2 © TT electronics plc High Resolution Slotted Optical Switch OPB847TX, OPB847TXV, OPB848TX, OPB848TXV Electrical Characteris�cs (T = 25°C unless otherwise noted)  A SYMBOL  PARAMETER  MIN  TYP  MAX  UNITS  TEST CONDITIONS  Combined  (1) On‐State Collector Current              OPB847 (TX, TXV)  4.00  ‐  ‐  V  = 10 V, I = 20 mA,   CE F   OPB847 (TX, TXV)  2.50  ‐  ‐  V  = 10 V, I = 20 mA, T = ‐55° C  CE F A I     OPB847 (TX, TXV)  2.50  ‐  ‐  mA  V  = 10 V, I = 20 mA, T = 100° C  C(ON) CE F A   OPB848 (TX, TXV)  1.00  ‐  ‐  V  = 10 V, I = 20 mA,   CE F   OPB848 (TX, TXV)  0.60  ‐  ‐  V  = 10 V, I = 20 mA, T = ‐55° C  CE F A   OPB848 (TX, TXV)  0.60  ‐  ‐  V  = 10 V, I = 20 mA, T = 100° C  CE F A Collector‐Emi�er Satura�on Voltage          V     OPB847 (TX, TXV)  ‐  0.20  0.30  V  I = 2 mA, I = 20 mA  CE(SAT) C F   OPB848 (TX, TXV)  ‐  0.20  0.30  I = 500 µA, I = 20 mA  C F Output Rise Time      t    OPB847 (TX, TXV)    12  20  r   OPB848 (TX, TXV)  8  15  µs   V  = 10 V, I = 20 mA, R = 1000Ω   CC F L Output Fall Time      t    OPB847 (TX, TXV)    12  20  f   OPB848 (TX, TXV)  8  15  Notes:  (1)  Measurement is taken during the last 500 µs of a single 1.0 ms test pulse.  Hea�ng due to increased pulse rate or pulse width can cause  change in measurement results.  Flag in Middle of Slot  Flag Next to Emi�er  Flag Next to Sensor  1.20 1.20 1.20 1.00 1.00 1.00 0.80 0.80 0.80 0.60 0.60 0.60 0.40 0.40 0.40 Right to Left Right to Left Right to Left Left to Right 0.20 Left to Right Left to Right 0.20 0.20 Top to Bottom Top to Bottom Top to Bottom 0.00 0.00 0.00 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 Displacement Distance (inches) Displacement Distance (inches) Displacement Distance (inches) General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue B 08/2016 Page 3 © TT electronics plc Typical I C(ON) Response (mA) Typical I Response (mA) C(ON) Typical I Response (mA) C(ON)