TT ELECTRONICS OPI120TX

High Reliability Optically Coupled Isolator OPI120TX, OPI120TXV Features:  High current transfer ratio  15 kV electrical isolation  Base lead provided for conventional transistor biasing  TX and TXV devices processed to MIL-PRF-19500 Description: Each OPI120TX and OPI120TXV is an op�cally coupled isolator that consists of a gallium aluminum arsenide infrared light  emi�ng diode (OP235 TX or OP235TXV) and an NPN silicon phototransistor (OP804TX or OP804TXV), which are sealed in a  high dielectric plas�c housing.  This series is designed for applica�ons that require high voltage isola�on between input and  output.    TX and TXV devices are processed to OPTEK’s military screening program pa� erned a� er MIL‐PRF‐19500.   Please refer to Applica� on Bulle� ns 208 and 210 for addi� onal design informa� on and reliability (degrada� on) data.   Contact your local representa�ve or OPTEK for more informa�on.   Applications:   LED    Isola�on     I (mA)   V    Lead  F CE  Requiring high voltage isolation between Part  Peak    Voltage   CTR   Typ /  (Volts)  Length /  input and output Number  Wavelength  Sensor  (,000)  Min  Max  Max  Spacing   Electrical isolation in dirty environments OPI120TX  0.40" /    Industrial equipment 890 nm   Transistor  15   20   10 / 50  25  OPI120TXV  0.75"   Medical equipment  Office equipment 5 1 Anode Collector Base NPN Trans. 4 Emitter Cathode 3 2 [ MILLIMETERS] Note: This is an “unsealed view” of the isolator  DIMENSIONS ARE IN:    INCHES  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue B 11/2016 Page 1 © TT electronics plc High Reliability Optically Coupled Isolator OPI120TX, OPI120TXV Absolute Maximum Ra�ngs (T = 25° C unless otherwise noted)   A  Opera�ng Temperature Range  ‐65° C to +125° C  Storage Temperature Range  ‐65° C to +150° C  (1) Input‐to‐Output Isola�on Voltage   ±15 kVDC    Lead Soldering Temperature[1/16 inch (1.6 mm) from the case for 5 seconds with soldering iron]  260° C  Input Diode   Forward DC Current  100 mA  Reverse Voltage  2 V  (2) Power Dissipa�on   200 mW  Output Phototransistor  Con�nuous Collector Current  50 mA  Collector‐Base Voltage  30 V  Collector‐Emi�er Voltage  30 V  Emi�er‐Base Voltage  5 V  (3) Power Dissipa�on   250 mW  Electrical Characteris�cs (T = 25° C unless otherwise noted)  A SYMBOL  PARAMETER  MIN  TYP  MAX  UNITS  TEST CONDITIONS  Input Diode (See OP236TX and OP236TXV for addi�onal informa�on ‐ for reference only)  1.00  1.40  1.70  I = 30 mA  F (4)   1.20  1.60  1.90  I = 30 mA, T = ‐55° C  V  Forward Voltage V   F  F A 0.90  1.15  1.50  I = 30 mA, T = 100° C  F A I  Reverse Current ‐  0.1  10  µA  V = 2 V  R R Output Phototransistor (See OP804TX, OP805TX and OP804TXV for addi�onal informa�on ‐ for reference only)  V   Collector‐Base Breakdown Voltage  30  40 ‐  V  I = 100 µA , I = 0, I = 0  (BR)CBO C E F V   Collector‐Emi�er Breakdown Voltage  30  40 ‐  V  I = 100 µA , I = 0, I = 0  (BR)CEO C B F V   Emi�er‐Base Breakdown Voltage  5 ‐  ‐  V  I = 100 µA , I = 0, I = 0  (BR)EBO C C F I ‐  0.2  100  na  V  = 10 V, I = 0, I = 0  C(OFF) CE B F Collector‐Emi�er Dark Current   ‐  10  100  µA  V  = 10 V, I = 0, I = 0, T = 100° C  CE B F A I   CB(OFF)  Collector‐Base Dark Current   ‐  0.1  10  nA  V  = 10 V, I = 0, I = 0  CB E F Notes:  (1)  Measured with input leads shorted together and output leads shorted together in air with a maximum rela�ve humidity of 50%.  If suitably  encapsulated or oil‐immersed, the isola�on voltage is increased to at least 25 kV.  (2)  Derate linearly 2.0 mW/° C above 25° C.  (3)  Derate linearly 2.5 mW/° C above 25° C.  (4)  Methanol or isopropanol are recommended as cleaning agents.  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue B 11/2016 Page 2 © TT electronics plc High Reliability Optically Coupled Isolator OPI120TX, OPI120TXV Electrical Characteris�cs (T = 25°C unless otherwise noted)  A SYMBOL  PARAMETER  MIN  TYP  MAX  UNITS  TEST CONDITIONS  Combined  2.00 ‐  ‐  mA  V  = 5 V, I = 0, I = 10 mA  CE B F (1)  I   On‐State Collector Current    1.20 ‐  ‐    V  = 5 V, I = 0, I = 10 mA, T = ‐55° C  C(ON)  CE B F A 1.20 ‐  ‐    V  = 5 V, I = 0, I = 10 mA, T = 100° C  CE B F A V   Collector‐Emi�er Satura�on Voltage ‐  0.25  0.30  V  I = 2 mA, I = 0, I = 20 mA  CE(SAT) C B F (1) V   Isola�on Voltage (Input to Output)   15  30 ‐    See note 1.  ISO t  Output Rise Time ‐  8  15  r µs   V  = 10 V, I = 2 mA, R = 100Ω   CC C L t  Output Fall Time ‐  8  15  f Notes:  (1)  Measurement is taken during the last 500 µs of a single 1.0 ms test pulse.  Hea�ng due to increased pulse rate or pulse width can cause  change in measurement results.  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue B 11/2016 Page 3 © TT electronics plc