Surface Mount NPN General Purpose Transistor 2N2222AUA (TX, TXV) Features:  Ceramic 4 pin surface mount package  Small package to minimize circuit board area  Hermetically sealed  Processed per MIL-PRF-19500/255 Description: The 2N2222AUA (TX, TXV) is a herme�cally sealed ceramic surface mount general purpose switching transistor. The four pin  ceramic package is ideal for designs where board space and device weight are important design considera�ons. The “UA”  suffix denotes the 4 terminal leadless chip carrier package, type “A” per MIL‐PRF‐19500/255.    Typical screening per MIL‐PRF‐19500/255. The burn‐in condi�on is V  = 30 V. P = 400 mW, T = 25°C, t = 80 hrs. Refer to  CB D A MIL‐PRF‐19500/255 for complete requirements. In addi�on ,the TX and TXV versions receive 100% thermal response  tes�ng.    When ordering parts without processing, do not use the TX or TXV suffix.    Applications:  General switching  Amplification  Signal processing  Radio transmission  Logic gates General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue B 08/2016 Page 1 © TT electronics plc Surface Mount NPN General Purpose Transistor 2N2222AUA (TX, TXV) Electrical Specifications Absolute Maximum Ratings (T = 25° C unless otherwise noted) A Collector‐Base Voltage   75V  Collector‐Emi�er Voltage  50V  Emi�er‐Base Voltage  6.0V  Collector Current‐Con�nuous  800mA  Opera�ng Junc�on Temperature (T) ‐65° C to +200 °C  J Storage Junc�on Temperature (T ) ‐65° C to +200° C  stg Power Dissipa�on @ T = 25°C  0.5 W  A (1) Power Dissipa�on @ Tc = 25° C  1.16 W   Soldering Temperature (vapor phase reţow for 30 seconds)  215° C  Soldering Temperature (heated collet for 5 seconds)  260° C  Electrical Characteristics (T = 25° C unless otherwise noted) A SYMBOL PARAMETER MIN MAX UNITS TEST CONDITIONS OFF CHARACTERISTICS   V Collector‐Base Breakdown Voltage  75   V  I = 10 µA, I = 0  (BR)CBO  C E V   Collector‐Emi�er Breakdown Voltage  50   V  I = 10 mA, I = 0  (BR)CEO C B V   Emi�er‐Base Breakdown Voltage  6.0   V  I = 10 µA, I = 0  (BR)EBO E C   10  nA  V  = 60 V, I = 0  CB E I   Collector‐Base Cutoff Current   CBO    10  µA  V  = 60 V, I = 0, T = 150° C  CB E A I   Emi�er‐Base Cutoff Current   10  nA  V  = 4 V, I = 0  EBO EB C I   Collector Emi�er Cutoff Current   50  nA  V  = 50 V  CES CE ON CHARACTERISTICS   50   ‐  V  = 10 V, I = 0.1 mA  CE C 75  325 ‐  V  = 10 V, I = 1.0 mA  CE C 100   ‐  V  = 10 V, I = 10 mA  CE C h   Forward‐Current Transfer Ra�o  FE  (2) 100  300 ‐  V  = 10 V, I = 150 mA   CE C (2) 30   ‐  V  = 10 V, I = 500 mA   CE C 35   ‐  V  = 10 V, I = 10 mA, T = ‐55°C  CE C A Note:  1. Derate linearly 6.6 mW/°C above 25° C   2. Pulse Width ≤300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue B 08/2016 Page 2 © TT electronics plc Surface Mount NPN General Purpose Transistor 2N2222AUA (TX, TXV) Electrical Characteristics (T = 25° C unless otherwise noted) A SYMBOL PARAMETER MIN MAX UNITS TEST CONDITIONS ON CHARACTERISTICS   (2)   0.3  V  I = 150 mA, I = 15 mA   C B V Collector‐Emi�er Satura�on Voltage   CE (SAT)   (2)   1.0  V  I = 500 mA, I = 50 mA   C B (2) 0.6  1.2  V  I = 150 mA, I = 15 mA   C B V   Base‐Emi�er Satura�on Voltage   BE(SAT)  (2)   2.0  V  I = 500 mA, I = 50 mA   C B SMALL‐SIGNAL CHARACTERISTICS  Small Signal Forward Current Transfer  |h    50   ‐  V  = 10 V, I = 1.0 mA, f = 1.0 kHz  fe CE C Ra�o  Small Signal Forward Current Transfer   |h    2.5   ‐  V  = 20 V, I = 20 mA, f = 100 MHz  fe CE C Ra�o  C   Open Circuit Output Capacitance   8.0  pF  V  = 10 V, 100 kHz ≤ f ≤ 1.0 MHZ  obo CB C   Input Capacitance (Output Open)   25  pF  V  = 0.5 V, 100 kHz ≤ f ≤ 1.0 MHZ  ibo EB SWITCHING CHARACTERISTICS  t   Turn‐On Time   35  ns  V =  30 V, I = 150 mA, I  = 15 mA  on CC  C B1 t   Turn‐Off Time   300  ns  V  = 30 V, I = 150 mA, I = I  = 15 mA  off CC C B1  B2   General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue B 08/2016 Page 3 © TT electronics plc