Surface Mount NPN/ PNP Complementary Transistor 2N4854U (TX, TXV) Features:  Ceramic 6 pin surface mount package  Small package to minimize circuit board area  Hermetically sealed  Processed per MIL-PRF-19500/421 Description: The 2N4854U (TX, TXV) are herme�cally sealed, ceramic surface mount complementary NPN/PNP transistor pair.  The “U”  suffix denotes the six terminal (C‐6) leadless chip carrier package op�on.  Theminiature    six pin ceramic package is ideal for  designs where board space and device weight are important design considera�ons.    Typical screening and lot acceptance tests are per MIL‐PRF‐19500/421.  The burn‐in condi�on is V  = 30 V, P = 300 mW  CB D each transistor, T = 25°C.  Refer to MIL‐PRF‐19500/421 for complete requirements.  A   When ordering parts without processing, do not us the TX or TXV suffix.      Applications:  General switching  Amplification  Signal processing  Radio transmission  Logic gates Pin #  PNP  Pin #  NPN  Transistor  3  Base  2  Base  4  Collector  1  Collector  5  Emi�er  6  Emi�er  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue C 08/2016 Page 1 © TT electronics plc Surface Mount NPN/ PNP Complementary Transistor 2N4854U (TX, TXV) Electrical Specifications Absolute Maximum Ratings (T = 25° C unless otherwise noted.) See Note 3 A NPN to PNP Isola�on Voltage  500 VDC  Collector‐Base Voltage   60 V  Collector‐Emi�er Voltage  40 V  Emi�er‐Base Voltage  5.0 V  Collector Current‐Con�nuous  600 mA  Opera�ng Junc�on Temperature (T) ‐65° C to +200 °C  J Storage Junc�on Temperature (T ) ‐65° C to +200° C  stg Power Dissipa�on @ T = 25°C (both transistors driven equally)  0.6 W  A (1) Power Dissipa�on @ Tc = 25° C (both transistors driven equally)  2.0 W   Soldering Temperature (vapor phase reţow for 30 seconds)  215° C  Soldering Temperature (heated collet for 5 seconds)  260° C  Electrical Characteristics (T = 25° C unless otherwise noted) A SYMBOL PARAMETER MIN MAX UNITS TEST CONDITIONS OFF CHARACTERISTICS   V Collector‐Base Breakdown Voltage  60   V  I = 10 µA, I = 0  (BR)CBO  C E (2) V   Collector‐Emi�er Breakdown Voltage  40   V  I = 10 mA, I = 0   (BR)CEO C B V   Emi�er‐Base Breakdown Voltage  5   V  I = 10 µA, I = 0  (BR)EBO E C   10  nA  V  = 50 V, I = 0  CB E I   Collector‐Base Cutoff Current   CBO    10  µA  V  = 50 V, I = 0, T = 150° C  CB E A I   Emi�er‐Base Cutoff Current   10  nA  V  = 3 V, I = 0  EBO EB C ON CHARACTERISTICS   (2) 50   ‐  V  = 10 V, I = 150 mA   CE C 35   ‐  V  = 10 V, I = 0.1 mA  CE C 50   ‐  V  = 10 V, I = 1.0 mA  CE C (2) 75   ‐  V  = 10 V, I = 10 mA   h   Forward‐Current Transfer Ra�o  FE  CE C (2) 100  300 ‐  V  = 10 V, I = 150 mA   CE C (2) 35   ‐  V  = 10 V, I = 300 mA   CE C 12   ‐  V  = 10 V, I = 10 mA, T = ‐55°C  CE C A Note:  1. Derate linearly 6.6 mW/°C above 25° C   3. Polari�es given are for the NPN device. Reverse polarity on limits & condi�ons    2. Pulse Width ≤300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  as applicable for the PNP side.  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue C 08/2016 Page 2 © TT electronics plc Surface Mount NPN/ PNP Complementary Transistor 2N4854U (TX, TXV) Electrical Characteristics (T = 25° C unless otherwise noted) A SYMBOL PARAMETER MIN MAX UNITS TEST CONDITIONS ON CHARACTERISTICS   (2) V Collector‐Emi�er Satura�on Voltage     0.40  V  I = 150 mA, I = 15 mA   CE (SAT)   C B (2) V   Base‐Emi�er Satura�on Voltage   0.8   V  I = 150 mA, I = 15 mA   BE(SAT)  C B SMALL‐SIGNAL CHARACTERISTICS  Small Signal Common Emi�er Input   | h |  1.5  9  kΩ  ie Impedance  Small Signal Common Emi�er Output  | h  |    50  µmho  V  = 10 V, I = 1.0 mA, f = 1.0 kHZ   oe CE C  Admi�ance  h   Small Signal Current Transfer Ra�o  60  300 ‐  fe NF  Noise Figure   8  db  f = 1.0 kHZ, R = 1.0 kΩ, I = 0.1 mA, V  = 10 V  G C CE   Small Signal Forward Current Transfer  | h  |  2  8 ‐  V  = 20 V, I = 20 mA, f = 100 MHz  fe CE C Ra�o  C   Open Circuit Output Capacitance   8  pF  V  = 10 V, 100 kHz ≤ f ≤ 1.0 MHZ  obo CB SWITCHING CHARACTERISTICS  t   Turn‐On Time   45  ns  V =  30 V, I = 150 mA, I  = 15 mA  on CC  C B1 t   Turn‐Off Time   300  ns  V  = 30 V, I = 150 mA, I = I  = 15 mA  off CC C B1  B2   Note:  1. Derate linearly 6.6 mW/°C above 25° C   3. Polari�es given are for the NPN device. Reverse polarity on limits & condi�ons    2. Pulse Width ≤300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  as applicable for the PNP side.  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue C 08/2016 Page 3 © TT electronics plc Surface Mount NPN/ PNP Complementary Transistor 2N4854U (TX, TXV) Standard Packaging:  Waffle Pack  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue C 08/2016 Page 4 © TT electronics plc