Surface Mount Dual PNP Transistor 2N5796U (TX, TXV) Features:  Ceramic 6 pin surface mount package  Small package to minimize circuit board area  Hermetically sealed  Electrical performance similar to dual 2N2907A  Processed per MIL-PRF-19500/496 Description: The 2N5796U (TX, TXV) are herme�cally sealed, ceramic surface mount devices, consis�ng of two individual silicon PNP  transistors.  The six pin ceramic package is ideal for designs where board space and device weight are important design  considera�ons.    Typical screening and lot acceptance tests are per MIL‐PRF‐19500/496.  The burn‐in condi�on is V  = 30 V, P = 300 mW  CB D each transistor, T = 25°C.  Refer to MIL‐PRF‐19500/496 for complete requirements.  A   When ordering parts without processing, do not use the TX or TXV suffix.    Applications:  General switching  Amplification  Signal processing  Radio transmission  Logic gates Pin #  LED  Pin #  Transistor  3  Base  2  Base  4  Collector  1  Collector  5  Emi�er  6  Emi�er  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue C 08/2016 Page 1 © TT electronics plc Surface Mount Dual PNP Transistor 2N5796U (TX, TXV) Electrical Specifications Absolute Maximum Ratings (T = 25° C unless otherwise noted) A Collector‐Emi�er Voltage   60 V  Collector‐Base Voltage  60 V  Emi�er‐Base Voltage  5 V  Collector Current‐Con�nuous  600 mA  Opera�ng Junc�on Temperature (T) ‐65° C to +200 °C  J Storage Junc�on Temperature (T ) ‐65° C to +200° C  stg Power Dissipa�on @ T = 25°C  0.5 W  A (1) Power Dissipa�on @ Tc = 25° C  0.6 W   Soldering Temperature (vapor phase reţow for 30 seconds)  215° C  Soldering Temperature (heated collet for 5 seconds)  260° C  Electrical Characteristics (T = 25° C unless otherwise noted) A SYMBOL PARAMETER MIN MAX UNITS TEST CONDITIONS OFF CHARACTERISTICS   V Collector‐Base Breakdown Voltage  75     I = 10 µA  (BR)CBO  C (1) V Collector‐Emi�er Breakdown Voltage  60   V  I = 10 mA   (BR)CEO  C V Emi�er‐Base Breakdown Voltage  5   V  I = 10 µA  (BR)EBO  E I Collector‐Base Cutoff Current   10  nA  V  = 50 V  CBO1  CB I Collector‐Base Cutoff Current   10  µA  V  = 50 V, T = 150°C  CBO2  BC A I Emi�er‐Base Cutoff Current   100  nA  V  = 3 V  EBO  EB h 75   ‐  V  = 10 V, I = 100 µA  FE1  CE C h 100  ‐  V  = 10 V, I = 1.0 mA  FE2    CE C (1) h 100  ‐  V  = 10 V, I = 10 mA   FE3    CE C (1) h Forward‐Current Transfer Ra�o  100  300 ‐  V  = 10 V, I = 150 mA   FE4  CE C (1) h 50  ‐  V  = 10 V, I = 300 mA   FE5    CE C (1) h 50  ‐  V  = 1.0 V, I = 150 mA   FE6    CE C (1) h 40  ‐  V  = 10 V, I = 150 mA, T = ‐55° C   FE7    CE C A Note:  1.  Pulsed Test: Pulse Width = 300 µs ± 50, 1‐2 % Duty Cycle  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue C 08/2016 Page 2 © TT electronics plc Surface Mount Dual PNP Transistor 2N5796U (TX, TXV) Electrical Characteristics (T = 25° C unless otherwise noted) A SYMBOL PARAMETER MIN MAX UNITS TEST CONDITIONS Off Characteris�cs con�nued   (1) V   Collector‐Emi�er Satura�on Voltage   0.4  V  I = 150 mA, I = 15 mA   CE(SAT)1 C B (1) V   Collector‐Emi�er Satura�on Voltage   1.6  V  I = 500 mA, I = 50 mA   CE(SAT)2 C B (1) V   Base‐Emi�er Satura�on Voltage   1.3  V  I = 150 mA, I = 15 mA   BE(SAT)1 C B (1) V   Base‐Emi�er Satura�on Voltage   2.6  V  I = 500 mA, I = 50 mA   BE(SAT)1 C B Magnitude of Small‐Signal Short‐Circuit  h   2  10   V  = 20 V, I = 20 mA, f = 100 MHZ  fe CE C  Forward Current Transfer Ra�o  C   Open Circuit Output Capacitance   8  pF  V  = 10 V, I = 0, 100 kHZ ≤ f ≤ 1 MHz  obo CB E  C   Input Capacitance (output open)   25  pF  V  = 2.0 V, I = 0, 100 kHZ ≤ f ≤ 1 MHz  ibo EB E  V  = 30 V, I = 150 mA, I  = 15 mA,   CC C  B1 t   Turn‐on Time   50  ns  on PW = 200 ns  V  = 30 V, I = 150 mA, I = I  = 15 mA,   CC C  B1  B2   Turn‐off Time   140  ns  t off PW = 200 ns  Standard Packaging:  Waffle Pack  Note:  1.  Pulsed Test: Pulse Width = 300 µs ± 50, 1‐2 % Duty Cycle  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue C 08/2016 Page 3 © TT electronics plc