Surface Mount Quad NPN Transistor 2N6989U (TX, TXV) Features:  Ceramic 20 pin surface mount package  Small package to minimize circuit board area  Electrical performance similar to a 2N2222A  Hermetically sealed  Processed per MIL-PRF-19500/559 Description: The 2N6989U (TX, TXV) is a herme�cally sealed, ceramic surface‐mount device, consis�ng of 4 silicon NPN transistors. The  20 pin ceramic package is ideal for designs where board space and device weight are important design considera�ons.    Typical screening lot acceptance test are per MIL‐PRF‐19500/559.  The burn‐in condi�on is V  = 30 V, P = 250 mW each  CB D transistor, T =25° C. Refer to MIL‐PRF‐19500/558 for complete requirements.  A   When ordering parts without processing, do not use the TX or TXV suffix.    Applications:  General switching  Amplification  Signal processing  Radio transmission  Logic gates General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue B 08/2016 Page 1 © TT electronics plc Surface Mount Quad NPN Transistor 2N6989U (TX, TXV) Electrical Specifications Absolute Maximum Ratings (T = 25° C unless otherwise noted) A Collector‐Base Voltage   75 V  Collector‐Emi�er Voltage  50 V  Emi�er‐Base Voltage  6.0 V  Collector Current‐Con�nuous  800 mA  Opera�ng Junc�on Temperature (T ) ‐65° C to +200 °C  J  Storage Junc�on Temperature (T ) ‐65° C to +200 °C  stg Power Dissipa�on (single transistor, no heat sink)  0.5 W  (1) Power Dissipa�on T = 25° C (four devices driven equally)  1.0 W   A Isola�on Voltage  500 V  Electrical Characteristics (T = 25° C unless otherwise noted) A SYMBOL PARAMETER MIN MAX UNITS TEST CONDITIONS OFF CHARACTERISTICS   V Collector‐Base Breakdown Voltage  75   V  I = 10 µA  (BR)CBO  C (2) V   Collector‐Emi�er Breakdown Voltage  50   V  I = 10 mA   (BR)CEO C V   Emi�er‐Base Breakdown Voltage  6   V  I = 10 µA  (BR)EBO E I   Collector‐Base Cutoff Current     10  nA  V  = 60 V  CBO CB I   Emi�er‐Base Cutoff Current   10  µA  V  = 60 V, T = 150° C  CBO2 CB A I   Emi�er‐Base  Cutoff Current   10  nA  V  = 4 V  EBO EB ON CHARACTERISTICS   h   Forward‐Current Transfer Ra�o  50   ‐  V  = 10 V, I = 0.1 mA  FE 1 CE C h   Forward‐Current Transfer Ra�o  75  325 ‐  V  = 10 V, I = 1.0 mA  FE 2 CE C (2) h   Forward‐Current Transfer Ra�o  100   ‐  V  = 10 V, I = 10 mA   FE 3 CE C (2) h   Forward‐Current Transfer Ra�o  100  300 ‐  V  = 10 V, I = 150 mA   FE 4 CE C (2) h   Forward‐Current Transfer Ra�o  30   ‐  V  = 10 V, I = 500 mA   FE 5 CE C (2) h   Forward‐Current Transfer Ra�o  35   ‐  V  = 10 V, I = 10 mA, T = 55° C   FE 6 CE C A Note:  1. Derate linearly 8.57 mW/°C above  T = 25°C   A 2. Pulse Width  = 300 µs ±50, 1‐2% Duty Cycle  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue B 08/2016 Page 2 © TT electronics plc Surface Mount Quad NPN Transistor 2N6989U (TX, TXV) Electrical Characteristics (T = 25° C unless otherwise noted) A SYMBOL PARAMETER MIN MAX UNITS TEST CONDITIONS ON CHARACTERISTICS   (2) V   Collector‐Emi�er Satura�on Voltage     0.3  V  I = 150 mA, I = 15 mA   CE (SAT)1 C B (2) V   Collector‐Emi�er Satura�on Voltage     1.0  V  I = 500 mA, I = 50 mA   CE (SAT)2 C B (2) V   Collector‐Emi�er Satura�on Voltage     0.45  V  I = 150 mA, I = 15 mA, T = 150° C   CE (SAT)3 C B A (2) V   Base‐Emi�er Satura�on Voltage   0.6  1.2  V  I = 150 mA, I = 15 mA   BE(SAT) 1 C B (2) V   Base‐Emi�er Satura�on Voltage     2.0  V  I = 500 mA, I = 50 mA   BE(SAT) 2 C B (2) V   Base‐Emi�er Satura�on Voltage     1.4  V  I = 150 mA, I = 15 mA, T = 55° C   BE(SAT) 3 C B A SMALL‐SIGNAL CHARACTERISTICS  Magnitude of Small‐Signal Short‐Circuit  | h |   2.5  8.0 ‐  V  = 10 V, I = 20 mA, f = 100 MHz  fe CE C Forward Current Transfer Ra�o  Small Signal Short Circuit Forward Current   h    50   ‐  V  = 10 V, I = 1 mA, f = 1 kHz  fe CE C Transfer Ra�o  C   Open Circuit Output Capacitance   8  pF  V  = 10 V, I = 0, 100 kHz ≤ f ≤ 1 MHZ  obo CB E C   Input Capacitance (Output Open)   33  pF  V  = 0.5 V, I =0, 100 kHz ≤ f ≤ 1 MHZ  ibo EB C SWITCHING CHARACTERISTICS  t   Turn‐On Time   35  ns  V =  30 V, I = 150 mA, I = 15 mA  on CC  C B t   Turn‐Off Time   300  ns  V  = 30 V, I = 150 mA, I = I  = 15 mA  off CC C B1  B2   TRANSISTOR TO TRANSISTOR ISOLATION  R   Isola�on Resistance  10k   MΩ  V  = 500 V  t‐t t‐t Note:  1. Derate linearly 8.57 mW/°C above  T = 25°C   A 2. Pulse Width  = 300 µs ±50, 1‐2% Duty Cycle  General Note OPTEK Technology, Inc. TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without 1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200 notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is www.optekinc.com | www.ttelectronics.com considered accurate at time of going to print. Issue B 08/2016 Page 3 © TT electronics plc